SRAM PU PD PG
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751001.pdf
https://ir.nctu.edu.tw
圖1-1 為6 個電晶體的SRAM 記憶體單元.它是由兩個Pull Up PMOS(PU),兩個. Pull Down NMOS(PD)與兩個Pass Gate NMOS(PG)所構成的,亦可視為兩個反相器互相.
![Conventional 6T-SRAM cell with](https://api.multiavatar.com/Conventional+6T-SRAM+cell+with%3A+pull+up+%28PU%29%2C+pull+down+%28PD+....png?apikey=viVnb6N20jclO8)
Conventional 6T-SRAM cell with
https://www.researchgate.net
Download scientific diagram | Conventional 6T-SRAM cell with: pull up (PU), pull down (PD) and pass gate (PG) transistors. from publication: SRAM Cell ...
![SRAM小科普](https://api.multiavatar.com/SRAM%E5%B0%8F%E7%A7%91%E6%99%AE+-+%E7%9F%A5%E4%B9%8E%E4%B8%93%E6%A0%8F.png?apikey=viVnb6N20jclO8)
SRAM小科普
https://zhuanlan.zhihu.com
这里先给大家介绍几个概念,我们定义PU与PD的电流比(Ipu/Ipd)为α ratio,PD与PG的电流比(Ipd/Ipg)为β ratio,PG与PU的电流比(Ipg/Ipu)为γ ratio。当input= ...
![SRAM的电路结构转载](https://api.multiavatar.com/SRAM%E7%9A%84%E7%94%B5%E8%B7%AF%E7%BB%93%E6%9E%84%E8%BD%AC%E8%BD%BD+-+CSDN%E5%8D%9A%E5%AE%A2.png?apikey=viVnb6N20jclO8)
SRAM的电路结构转载
https://blog.csdn.net
它由6 个晶体管(N1~N4、P1~P2)组成,N1、N2 叫做下拉(PD)管,P1、P2 叫做上拉(PU)管,N3、N4 是存取管,有时也叫传输管(PG)。
![靜態隨機存取記憶體](https://api.multiavatar.com/%E9%9D%9C%E6%85%8B%E9%9A%A8%E6%A9%9F%E5%AD%98%E5%8F%96%E8%A8%98%E6%86%B6%E9%AB%94+-+%E7%B6%AD%E5%9F%BA%E7%99%BE%E7%A7%91.png?apikey=viVnb6N20jclO8)
靜態隨機存取記憶體
https://zh.wikipedia.org
靜態隨機存取記憶體(英語:Static random-access memory,縮寫:SRAM)是隨機存取記憶體的一種。所謂的「靜態」,是指這種記憶體只要保持通電,裡面儲存的資料就可以 ...
![靜態隨機存取記憶體裝置的製造方法及其佈局](https://api.multiavatar.com/%E9%9D%9C%E6%85%8B%E9%9A%A8%E6%A9%9F%E5%AD%98%E5%8F%96%E8%A8%98%E6%86%B6%E9%AB%94%E8%A3%9D%E7%BD%AE%E7%9A%84%E8%A3%BD%E9%80%A0%E6%96%B9%E6%B3%95%E5%8F%8A%E5%85%B6%E4%BD%88%E5%B1%80+-+Google+Patents.png?apikey=viVnb6N20jclO8)
靜態隨機存取記憶體裝置的製造方法及其佈局
https://patents.google.com
SRAM晶胞10可包括P型金氧半導體(PMOS)電晶體的傳送閘電晶體PG-1、PG-2和上拉電晶體PU-1、PU-2,以及N型金氧半導體(NMOS)電晶體的下拉電晶體PD-1、PD-2。